Память станет в десять раз быстрее

Дисульфид тантала может стать элементом памяти нового поколения. Скорость новых устройств в десять раз быстрее.

Память станет в десять раз быстрее

Компьютеры работают с каждым годом всё быстрее. Чтобы они работали ещё быстрее, нужно ускорить процесс обращения к памяти. Кажется, в этой сфере найдено прорывное решение. Международная группа учёных, в которой есть и представитель нашей страны — профессор НТУ «МИСиС» Сергей Бразовский, представили результаты работы, которые могут совершить очередную революцию в компьютерной технике.

Учёные исследовали дисульфид тантала. Особенность этого вещества в том, что оно способно очень быстро менять своё электрическое сопротивление, за миллиардные доли секунды превращаясь из проводника в изолятор и обратно. Это свойство можно использовать для изготовления нового поколения элементов энергонезависимой памяти.

Как объясняют учёные, такая скорость перехода обусловлена скрытым состоянием вещества в сульфиде тантала, которого сульфид тантала может достигнуть лишь под внешним воздействием. С помощью лазерных импульсов в образец вводились заряды, которые возмущали внутреннюю электронную структуру, превращая материал из проводника в диэлектрик.

Это свойство дисульфида тантала предложено использовать в элементах энергонезависимой памяти. При этом единица шифруется проводящим состоянием, а ноль – диэлектрическим. Скорость переключения между состояниями в десять раз превосходит все существующие устройства хранения памяти, что обеспечит соответствующее возрастание быстродействие компьютеров.

Похожие новости
Новости партнеров
Инфографика
А.Г.

Инсайдер озвучил характеристики нового смартфона Xiaomi Redmi.

А.Г.

Сотрудники оператора «Северного потока-2» рассказали, какие убытки понесут жители Евросоюза от действий Дании.

Евгений Сизов

Любовь Соболь решила примерить на себя образ Ксении Собчак.

А.Г.

Актер шоу «Крутой Уокер» Кен Керчевал скончался в возрасте 83 лет.