Память станет в десять раз быстрее

Дисульфид тантала может стать элементом памяти нового поколения. Скорость новых устройств в десять раз быстрее.

Память станет в десять раз быстрее

Компьютеры работают с каждым годом всё быстрее. Чтобы они работали ещё быстрее, нужно ускорить процесс обращения к памяти. Кажется, в этой сфере найдено прорывное решение. Международная группа учёных, в которой есть и представитель нашей страны — профессор НТУ «МИСиС» Сергей Бразовский, представили результаты работы, которые могут совершить очередную революцию в компьютерной технике.

Учёные исследовали дисульфид тантала. Особенность этого вещества в том, что оно способно очень быстро менять своё электрическое сопротивление, за миллиардные доли секунды превращаясь из проводника в изолятор и обратно. Это свойство можно использовать для изготовления нового поколения элементов энергонезависимой памяти.

Как объясняют учёные, такая скорость перехода обусловлена скрытым состоянием вещества в сульфиде тантала, которого сульфид тантала может достигнуть лишь под внешним воздействием. С помощью лазерных импульсов в образец вводились заряды, которые возмущали внутреннюю электронную структуру, превращая материал из проводника в диэлектрик.

Это свойство дисульфида тантала предложено использовать в элементах энергонезависимой памяти. При этом единица шифруется проводящим состоянием, а ноль – диэлектрическим. Скорость переключения между состояниями в десять раз превосходит все существующие устройства хранения памяти, что обеспечит соответствующее возрастание быстродействие компьютеров.

Новости партнеров