Российские ученые нашли материал для дешевого мемристора
pixabay.com  / 

Группа ученых из Университета Лобачевского, используя слоистую структуру «металл-оксид-металл», создали новый мемристор, который можно применять в запоминающих устройствах. Об этом со ссылкой на статью исследователей в журнале Advanced Materials Technologies сообщает сайт «Индикатор».

Теоретически мемристоры могут использоваться в качестве ячеек памяти благодаря способности изменять сопротивление в зависимости от прошедшего через устройство заряда. Проблема заключается в плохой воспроизводимости параметров мемристоров, поскольку в каждом образце ионы кислорода по-разному распределяются на границе раздела между металлом и оксидом.

Все предыдущие попытки скорректировать этот эффект приводили к серьезному усложнению и удорожанию процесса производства мемристоров, что исключало возможность их широкого внедрения в практику. В работе, поддержанной грантом Российского научного фонда, ученые прибегли к комбинированному подходу, используя многослойную структуру, которая состоит из последовательно расположенных слоев тантала, оксида тантала TaOx, оксида циркония, допированного иттрием ZrO2(Y), оксида тантала (V) Ta2O5, диоксида титана TiO2 и нитрида титана TiN.

Заведующий лабораторией в Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского Алексей Михайлов, который возглавляет группу исследователей, объяснил, что примененный ими подход к созданию мемристора не требует введения дополнительных операций в процесс изготовления устройств. Вместе с тем, отмечает ученый, воспроизводимость такой структуры выше.

Рейтинг@Mail.ru